| 种类：结型(JFET) | 品牌：AO | 型号：AO3415 |
| 导电方式：耗尽型 | 沟道类型：P沟道 |
AO3415数据列表
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AO3415
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 带卷 （TR）
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） 4A （Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 43 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1450pF @ 10V
功率 - 值 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
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